Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 531

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 534

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 537

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 540

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 544

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 548

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 552

Deprecated: Function split() is deprecated in /var/www/sites/asen/pcw/procedures/class.Add.php on line 367

Micron започва масово производство на памети с фазов преход

Първите памети на пазара, базирани на т.нар. Phase Change Memory технология, ще бъдат предназначени за мобилни телефони, но по-късно Micron ще започне доставките на памет с фазов преход също за смартфони и таблети.

20 юли 2012
7283 прочитания
17 одобрения
0 неодобрения

След дълги години на разработка, усъвършенстване и значими технологични пробиви, паметите с фазов преход влизат в масово производство, съобщиха тези дни от известния полупроводников производител Micron Technology.

Micron Phase Change Memory

Припомнеме, че т.нар PCM (Phase Change Memory) памети съхраняват информация, като използват способността на определен материал да преминава между две основни състояния (кристално и аморфно) при определено топлинно въздействие, генерирано чрез електрически ток. Основното предимство на РСМ паметите е в по-малкия (в сравнение със сега съществуващите решения) ток, нужен за четене и запис. В резултат на това новият тип памет се отличава с висока производителност, която неколкократно превишава например тази на съвременните полупроводникови дискове (SSD) от най-висок клас. При това РСМ паметта също е енергонезависима (т.е. може да съхранява данните и при изключено захранване), а ниската й консумация на енергия я прави много подходящо решение за мобилните устройства.


Именно за тях, и по-точно за стандартните мобилни телефони, ще са предназначени и първите комерсиални партиди PCMпамети с капацитет 1 Gb и LPDDR2 модули с вместимост 512 Mb, които ще се произвеждат по 45-нанометров технологичен процес. Според официалното съобщение на Micron, и в двата типа памети с фазов преход се използва един и същи интерфейс за достъп, който отговаря на JEDEC стандартите. В бъдеще се предвижда новият тип памети да станат достъпни също за смартфони и таблети, твърдят още от производителя. 

17 одобрения
0 неодобрения
Още от рубрика "Устройства за съхранение"
КОМЕНТАРИ ОТ  
Трябва да сте регистриран потребител, за да коментирате статията
"Micron започва масово производство на памети с фазов преход"



    

абонамент за бюлетина