Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 531

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 534

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 537

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 540

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 544

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 548

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 552

Deprecated: Function split() is deprecated in /var/www/sites/asen/pcw/procedures/class.Add.php on line 367

3 бита в 1 клетка или как IBM застреля с един PCM куршум два “заека”

IBM Research отбеляза много важен пробив в областта на фазовата памет, като успя да увеличи тройно плътността на запис на информация в памети от тип Phase Change Memory и едновременно с това свали цената им почти до нивото на днешните флаш-памети.

18 май 2016
7534 прочитания
33 одобрения
0 неодобрения

Технологията на т.нар. памети с фазов преход (PCM, Phase Change Memory) е едно от решенията, към които много специалисти гледат с надежда за бъдещето на съхранението на данни. Тази надежда се подхранва и от съвсем скорошен пробив на инженерите от изследователския център на IBM (IBM Research), който според тях би могъл да помогне за евентуален преход от обичайните DRAM и NAND памети към PCM решения.

IBM PCM

В случай, че сте забравили (все пак отдавна не бяха съобщавали за значими постижения на PCM фронта), става въпрос за нов тип енергонезависима памет, чийто принцип на работа се основава на уникалните свойства на халкогенида – материалът, който се използва за направата на презаписваемите оптични дискове. А така наречените PCM (Phase Change Memory) памети съхраняват информация, като използват способността на въпросния материал да преминава между две основни състояния (кристално и аморфно) при определено топлинно въздействие, генерирано чрез електрически ток. Основното предимство на РСМ паметите е в по-малкия (в сравнение със сега съществуващите решения) ток, нужен за четене и запис. В резултат на това новият тип памет се отличава с висока производителност, която неколкократно превишава например тази на съвременните полупроводникови дискове (SSD) от най-висок клас. При това РСМ паметта, както споменахме, също е енергонезависима (т.е. може да съхранява данните и при изключено захранване), а ниската й консумация на енергия по принцип я прави много подходящо решение за мобилните устройства. Към предимствата на PCM е и нейната висока производителност, която е почти като при DRAM модулите. Освен това PCM паметите се отличават и с по-дълъг експлоатационен срок, тъй като издържат до 10 млн. цикъла на презапис – много повече от средно 3000-те цикъла при флаш-паметите.

Прочетете още: Бъдещето на компютърната памет

Всичко това звучи добре, но до момента основни пречки пред комерсиалната реализация на PCM паметите (въпреки ,че такива по принцип се произвеждат) са тяхната висока цена и относително ниската плътност на информаицята, позволяваща да се записва не повече от един бит информация във всяка клетка памет. Именно това второ ограничение, на практика спираше масовото използване на PCM памети в мобилните устройства.

Инженерите от IBM Research обаче за първи път са успели да създадат фазова памет, способна да съхранява три бита информация в една клетка памет. За целта изследователите е трябвало подробно да изучат реакциите на кристалите при високи температури. Всъщност това е много сериозно постижение, благодарение на което IBM убива с един куршум два заека: повишава плътността на съхранение на информация в PCM чиповете и едновременен с това сваля цената до ниво, което прави този тип памет значително по-евтини от DRAM устройствата – почти колкото днешните флаш-памети.

Според IBM, потенциалните приложения на PCM са безброй – от замяната на RAM паметта в настолните компютри до създаването на хибридни комбинации заедно със стандартната флаш-памет за мобилни устройства. Е, сега този потенциал изглежда е малко по-близо до реалността.

33 одобрения
0 неодобрения
Още от рубрика "Хардуер"
КОМЕНТАРИ ОТ  
Трябва да сте регистриран потребител, за да коментирате статията
"3 бита в 1 клетка или как IBM застреля с един PCM куршум два “заека”"



    

абонамент за бюлетина